по популярности / по алфавиту

эксперт
Сергей Муравьев:

Сергей Муравьев: Во что верят физики?

«Путешествие в прошлое науки необходимо, чтобы понять, из чего на самом деле состоит известная нам физика»

подробнее
Недавние комментарии

Проект ИТЭР

Лазерная физика будущего

Безопасность АЭС: Чем заменить цирконий?

"МАГИЧЕСКИЕ ПУЛИ" ДЛЯ ТЕРАПИИ РАКА

Что такое солитон? / Как разгадать цунами

Студенческое путешествие в Арктику / Экспедиция Картеш

Композит из углерода и кобальта может стать основой для электроники будущего

Композит из углерода и кобальта может стать основой для электроники будущего

Автор:

Фото: Лаборатория электронной микроскопии ЦКП ИИФиРЭ СФУ

Дата : 28.02.2017 19:37

Исследователи впервые экспериментально обнаружили и теоретически обосновали возникновение антиферромагнитного слоя в композитном материале из углеродной пленки и наночастиц кобальта. Такой слой в материале из полупроводника и намагниченного вещества приводит к появлению так называемого обменного сдвига — изменению в реакции намагниченности материала в ответ на внешнее магнитное поле. Материал с такими свойствами может быть использован для устройств спинтроники — новой отрасли электроники, позволяющей уменьшить размеры и повысить скорость работы электронных устройств.

Ученые из Института физики им. Л.В. Киренского Красноярского научного центра СО РАН, Сибирского федерального университета и нескольких университетов Тайваня получили композитный материал из углеродной пленки с вкраплениями наночастиц кобальта. В этой паре кобальт является веществом с выраженными магнитными свойствами, а углерод — полупроводником.

Поперечный срез многослойной структуры кобальта/углерода (Co/C) в исходном состоянии (слева) и после быстрого нагрева в вакууме до 600 градусов Цельсия (справа). В исходном состоянии пленка представляет собой многослойную структуру Co/C. В результате быстрого нагрева формируется графитоподобная структура с характерным для графита межплоскостным расстоянием 0.34 нм. Изображения получены в лаборатории электронной микроскопии ЦКП ИИФиРЭ СФУ.

При исследовании магнитных свойств композита выяснилось, что он обладает свойством характерным для слоистых структур из ферромагнитных и антиферромагнитных материалов. Это так называемый обменный сдвиг — не симметричное усиление и уменьшение намагниченности материала при последовательных переключениях направления внешнего магнитного поля. Оказалось, что на границе между кобальтом и углеродом, в результате взаимодействия электронов двух этих элементов, возникает тонкий антиферромагнитный слой.

«Наличие такого слоя — основа для использования спиновых эффектов, то есть управления электромагнитными свойствами материала с помощью внешнего магнитного поля, — объясняет доктор физико-математических наук, заместитель директора Института физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН Сергей Овчинников. — Вполне возможно, что в будущем использование других веществ, не кобальта, позволит получить более эффективные материалы. Сейчас во всем мире идут поиски материалов и попытки выйти на промышленное производство спиновых транзисторов. Это уменьшит размеры и ускорит работу многих электронных устройств».

Понравилась заметка? Поделитесь —

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Войти с помощью: