по популярности / по алфавиту

эксперт
Сергей Муравьев:

Сергей Муравьев: Во что верят физики?

«Путешествие в прошлое науки необходимо, чтобы понять, из чего на самом деле состоит известная нам физика»

подробнее

Проект ИТЭР

Лазерная физика будущего

Безопасность АЭС: Чем заменить цирконий?

"МАГИЧЕСКИЕ ПУЛИ" ДЛЯ ТЕРАПИИ РАКА

Что такое солитон? / Как разгадать цунами

Студенческое путешествие в Арктику / Экспедиция Картеш

В МИСиС нашли способ увеличить вдвое скорость точечной сварки

В МИСиС нашли способ увеличить вдвое скорость точечной сварки

Автор:

Фото: МИСиС

Дата : 11.09.2017 16:20

Скорость достигается за счет новых полупроводниковых элементов

Исследователи университета МИСиС создали уникальные полупроводниковые элементы, позволяющие вдвое увеличить частоту импульсов точечных сварочных аппаратов, которые широко используются в различных отраслях — в том числе, в авиационной отрасли и автопроме.

Ученым удалось добиться новых характеристик важнейших элементов аппаратов сварки — сварочных диодов — изменив на наноуровне структуру кремниевых кристаллов, из которых изготавливаются полупроводниковые приборы. “МИСиС разработал технологию создания наноразмерных центров рекомбинации — атомных «вакансий» — в структуре диодного монокристалла. Они формируются посредством контролируемого смещения атомов в определенных слоях кремниевой пластины сварочного диода”, — рассказали в пресс-службе университета. Для изменения структуры исследователи бомбардировали кремний ионами на ускорителе. Новые свойства диодов позволяют устройствам быстрее реагировать на смену полярности тока, в итоге можно увеличивать частоту импульсов во время сварки.

“Технология создания атомных «вакансий» позволяет повысить рабочую частоту диода диаметром 50 мм с 10 кГц до 20 кГц при сохранении прочих характеристик. Сварочный диод с таким сочетанием параметров превосходит известные мировые аналоги”, — пояснили в пресс-службе университета.

Университет выполнил тестирование нескольких опытных образцов диодов. В дальнейшем технология может использоваться и для изготовления других полупроводниковых устройств, пояснил представитель университета Петр Лагов.

Понравилась заметка? Поделитесь —

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Войти с помощью: