по популярности / по алфавиту

эксперт
Научные и НФ-комиксы на Реакторе

Михаил Заславский: Парадоксальный взгляд комиксиста может подтолкнуть ученых к открытию

«Взрослые и увлекательные комиксы будут следовать за главными событиями науки и дополнят картину мира для интеллектуалов»

подробнее

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА В АГРЕССИВНЫХ СРЕДАХ

КАК УВЕЛИЧИТЬ МОЩНОСТЬ РЕАКТОРА ВВЭР 1200

НОВОСТИ О ДОБЫЧЕ УРАНА

ЗА ФАСАДОМ АЛЬТЕРНАТИВНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ / Ответы на вопросы читателей портала reactor.space

НАНОТЕРАНОСТИКА

ЗА ФАСАДОМ АЛЬТЕРНАТИВНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ

В МИСиС нашли способ увеличить вдвое скорость точечной сварки

В МИСиС нашли способ увеличить вдвое скорость точечной сварки

Автор:

Фото: МИСиС

Дата : 11.09.2017 16:20

Скорость достигается за счет новых полупроводниковых элементов

Исследователи университета МИСиС создали уникальные полупроводниковые элементы, позволяющие вдвое увеличить частоту импульсов точечных сварочных аппаратов, которые широко используются в различных отраслях — в том числе, в авиационной отрасли и автопроме.

Ученым удалось добиться новых характеристик важнейших элементов аппаратов сварки — сварочных диодов — изменив на наноуровне структуру кремниевых кристаллов, из которых изготавливаются полупроводниковые приборы. “МИСиС разработал технологию создания наноразмерных центров рекомбинации — атомных «вакансий» — в структуре диодного монокристалла. Они формируются посредством контролируемого смещения атомов в определенных слоях кремниевой пластины сварочного диода”, — рассказали в пресс-службе университета. Для изменения структуры исследователи бомбардировали кремний ионами на ускорителе. Новые свойства диодов позволяют устройствам быстрее реагировать на смену полярности тока, в итоге можно увеличивать частоту импульсов во время сварки.

“Технология создания атомных «вакансий» позволяет повысить рабочую частоту диода диаметром 50 мм с 10 кГц до 20 кГц при сохранении прочих характеристик. Сварочный диод с таким сочетанием параметров превосходит известные мировые аналоги”, — пояснили в пресс-службе университета.

Университет выполнил тестирование нескольких опытных образцов диодов. В дальнейшем технология может использоваться и для изготовления других полупроводниковых устройств, пояснил представитель университета Петр Лагов.

Понравилась заметка? Поделитесь —

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Войти с помощью: