по популярности / по алфавиту

эксперт

Китай хакнул американский рынок высоких технологий

«Китайские инвесторы теряют доверие к своей экономике и инвестируют в высокие технологии за рубежом»

подробнее

Учёные МФТИ создают энергонезависимую память

Автор:

Фото: mipt.ru

Дата: 25 мая 2017 22:34

Симбиозом оперативки и флешки станут покрытия на основе резистивного переключения

В МФТИ научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых методом атомно-слоевого осаждения. Такие покрытия могут стать основой для создания перспективного типа энергонезависимой памяти, способной объединить быстроту оперативки и энергонезависимость флешки – говорится в пресс-релизе института. Результаты исследования опубликованы в журнале ACS Applied Materials and Interfaces.

Российские ученые берут за основу память на основе резистивного переключения — ReRAM, принцип работы которой заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения информации. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя предлагаются оксиды переходных металлов. Управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который и определяет функциональные свойства ячеек памяти.

Исследование МФТИ поддержано грантом Российского научного фонда и программой повышения конкурентоспособности. Аспирант МФТИ Константин Егоров подчеркивает: «В нашей работе важно было не только создать плёнки с разным количеством кислорода, но и подтвердить это экспериментально. Для этого наша команда использовала уникальный экспериментальный кластер, который позволяет проводить рост и исследование осаждённых слоёв, не нарушая вакуума».

Понравилась заметка? Поделитесь —

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Войти с помощью: